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TSM850N06CX

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM850N06CX
商品编号: C19856199
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.034克(g)

商品参数

商品特性

当栅源电压 VGS 为 -10 V、漏极电流 ID 为 -10 时，导通电阻 RDS(ON) 小于 12 mΩ
当栅源电压 VGS 为 -4.5 V、漏极电流 ID 为 -8 时，导通电阻 RDS(ON) 小于 17.5 mΩ
高切换速度
提升的 dv/dt 能力
低栅极电荷
低反向转移电容
符合 EC-Q101 标准认证
符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅设计
符合 IEC 61249 标准的绿色模塑化合物

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	3A
	导通电阻(RDS(on))	100mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	1.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	4.6nC
	输入电容(Ciss)	529pF
	反向传输电容(Crss)	3pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	29pF