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TSM900N06CH实物图
  • TSM900N06CH商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM900N06CH

TSM900N06CH

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商品型号
TSM900N06CH
商品编号
C19856202
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)9.5nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 超结技术
  • 因优值小而具备高性能
  • 高换向性能
  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 开关电源
  • 照明

数据手册PDF