TSM80N1R2CI
TSM80N1R2CI
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- 商品型号
- TSM80N1R2CI
- 商品编号
- C19856192
- 商品封装
- ITO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷
应用领域
- 用于AC-DC快速充电器的同步整流