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TSM060N03PQ33

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM060N03PQ33
商品编号: C19856036
商品封装: PDFN-8(3.1x3.1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

商品概述

这些24 W对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为需要极宽瞬时带宽能力、覆盖1880至2025 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。

商品特性

低漏源导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量UIS和栅极电阻Rg测试
符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21定义,无卤

应用领域

-直流-直流转换器-电池电源管理-或门场效应管/负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	62A
	导通电阻(RDS(on))	9mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	40W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	12.9nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-