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TSM080N03PQ56

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM080N03PQ56
商品编号: C19856042
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON),使传导损耗最小化
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和浪涌电流(Rq)测试
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,以及指令2002/96/EC的WEEE标准
根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品

应用领域

-直流-直流转换器-电池电源管理-或门FET/负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	73A
	导通电阻(RDS(on))	12.5mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	69W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	7.2nC@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道