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TSM080NB03CR

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM080NB03CR
商品编号: C19856043
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用坚固的LFPAK56封装。该产品经过全面设计和认证，符合AEC-Q101要求，具备高性能和耐用性。

商品特性

完全符合AEC-Q101汽车级标准
额定温度达175 °C，适用于对散热要求高的环境
Trench 9超结技术：
- 减小的单元间距可在相同封装尺寸下实现更高的功率密度和效率，同时降低导通电阻RDSon
- 与标准TrenchMOS相比，改善了安全工作区（SOA）和雪崩能力
- 紧密的VGS(th)限值使MOSFET易于并联
LFPAK鸥翼引脚：
- 具有高电路板级可靠性，在热循环过程中可吸收机械应力，这与传统QFN封装不同
- 可进行目视（AOI）焊接检查，无需昂贵的X射线设备
- 易于焊料润湿，形成良好的机械焊点
LFPAK铜夹技术：
- 提高了可靠性，降低了热阻Rth和导通电阻RDSon
- 增加了最大电流能力，改善了电流分布

应用领域

12 V汽车系统
电机、灯具和电磁阀控制
启停微混合动力应用
变速器控制
超高性能功率开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	59A
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	55.6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	10nC
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道