TSM080NB03CR
TSM080NB03CR
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- 商品型号
- TSM080NB03CR
- 商品编号
- C19856043
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用坚固的LFPAK56封装。该产品经过全面设计和认证，符合AEC-Q101要求，具备高性能和耐用性。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速功率开关
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
- 工作结温达175°C
- 符合RoHS标准
- 根据IEC 61249 - 2 - 21标准无卤
应用领域
-直流-直流转换器-电池管理-负载开关-电机驱动