TSM052NB03CR
TSM052NB03CR
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- 商品型号
- TSM052NB03CR
- 商品编号
- C19856030
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET™ 超级 FRFET MOSFET 具有卓越的衬底二极管反向恢复性能。其 trr 小于 50 纳秒，反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而普通平面 MOSFET 则分别超过 200 纳秒和 4.5V/nsec。因此，在某些需要提高 MOSFET 衬底二极管性能的应用中，UniFET 超级 FRFET MOSFET 可以减少额外组件并提高系统可靠性。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(on) = 1.65Ω（典型值），条件为栅源电压VGS = 10V，漏极电流ID = 1.5
- 低栅极电荷（典型值：11 nc）
- 反向传输电容Crss低（典型值5pF）
- 100% 经过雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 液晶/等离子/背光屏电视
- 照明设备
- 不间断电源供应器