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TSG65N110CE RVG

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSG65N110CE RVG
商品编号: C19855999
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

650 V增强型功率晶体管
底部散热、5x6 mm小型PDFN封装
RDS(导通)(典型值) = 150 mΩ
IDS(最大值) = 11 A
超低品质因数
简单的栅极驱动要求(0 V至6 V)
瞬态耐受栅极驱动(-20 V / +10 V)
高开关频率(>1MHz)
快速且可控制的下降和上升时间
反向导通能力
零反向恢复损耗
用于优化栅极驱动的源极检测(SS)引脚
符合ROHS标准
根据IEC 61249-2-21标准无卤

应用领域

电源适配器
LED照明驱动器
快速电池充电
功率因数校正
家电电机驱动器
无线电力传输
工业电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	110mΩ@6V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2.6V@4.8mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	4nC@6V
	输入电容(Ciss)	132pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	-