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TSG65N110CE RVG

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSG65N110CE RVG
商品编号: C19855999
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

650 V增强型功率晶体管
底部散热的8 x 8 mm PDFN封装
RDS(导通)(典型值) = 78 mΩ
最大直流漏源电流(IDSmax,DC) = 18 A / 最大脉冲漏源电流(IDSmax,脉冲) = 35 A
简单的栅极驱动要求(0 V至6 V)
瞬态耐受栅极驱动(-20 V / +10 V)
高开关频率(> 1 MHz)
快速且可控的下降和上升时间
反向导通能力
零反向恢复损耗
用于优化栅极驱动的源极检测(SS)引脚
符合ROHS标准
无卤

应用领域

-消费和工业电源-电源适配器-LED照明驱动器-快速电池充电-功率因数校正-家电和工业电机驱动-无线电力传输

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	110mΩ@6V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2.6V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	4nC@6V
	输入电容(Ciss)	132pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	-