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TSG65N195CE RVG

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSG65N195CE RVG
商品编号: C19856001
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

650 V增强型功率晶体管
850 V瞬态漏源电压
底部散热8x8 mm PDFN封装
RDS(导通)(典型值) = 150 mΩ
IDS(最大值) = 11 A / IDS(最大脉冲值) = 19 A
超低品质因数
简单的栅极驱动要求(0 V至6 V)
耐瞬态栅极驱动(-20 V / +10 V)
高开关频率(>1 MHz)
快速且可控的下降和上升时间
反向导通能力
零反向恢复损耗
用于优化栅极驱动的源极检测(SS)引脚
符合ROHS标准
无卤

应用领域

-电源适配器-LED照明驱动器-快速电池充电-功率因数校正-家电电机驱动器-无线电力传输-工业电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	11A
	导通电阻(RDS(on))	195mΩ@6V
	耗散功率(Pd)	-

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.6V
	栅极电荷量(Qg)	2.2nC@6V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	-