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TSM018NB03CR

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM018NB03CR
商品编号: C19856017
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低RDS(ON),以最小化传导损耗
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和 \mathsfRg 测试
工作结温可达175°C
符合RoHS标准
符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求

应用领域

-直流-直流转换器-电池管理-负载开关-电机驱动

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	194A
	导通电阻(RDS(on))	1.8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	136W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	62nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	7.252nF
	反向传输电容(Crss)	673pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.056nF