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TSG65N190CR RVG实物图
  • TSG65N190CR RVG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSG65N190CR RVG

TSG65N190CR RVG

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商品型号
TSG65N190CR RVG
商品编号
C19856000
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@6V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2.6V@2.4mA
栅极电荷量(Qg)2.2nC@6V
属性参数值
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)-

商品特性

  • 超结技术
  • 因品质因数小而具备高性能
  • 高换向性能
  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 开关电源-照明

数据手册PDF