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ESDALC6V1M3
单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
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- 描述
- 用于ESD保护的双线低电容Transil阵列
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- ESDALC6V1M3
- 商品编号
- C1974807
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | - | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30W@8/20us | |
| 击穿电压 | 7.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 11pF |
商品概述
ESDALC6V1M3是一款单片阵列，旨在保护1条或2条线路免受静电放电（ESD）瞬变影响。该器件非常适合既需要降低线路电容又需要节省电路板空间的应用。
商品特性
- 2个单向、低电容的瞬态抑制二极管
- 优于IEC 61000 - 4 - 2标准（ESD保护：11 kV接触放电）
- 击穿电压VBR最小值为6.1 V
- 低二极管电容（0 V时典型值为11 pF）
- 低漏电流 < 0.5 μA
- 极小的PCB面积：0.6 mm²
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机
- 打印机
- 通信系统
- 手机及配件
- 视频设备
优惠活动
购买数量
(12000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个12000个/圆盘
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