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ESDA6V1-5M6
单向 3V 8A@8/20us
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- 描述
- 用于ESD保护的TRANSIL阵列
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- ESDA6V1-5M6
- 商品编号
- C1974835
- 商品封装
- UQFN-6(1.45x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3V | |
| 钳位电压 | 6.1V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 8A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us | |
| 击穿电压 | 7.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 五路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 70pF |
商品概述
ESDA6V1xxM6是单片阵列，旨在保护多达4条或5条线路免受ESD瞬态影响。该器件非常适合既需要减小印刷电路板空间又需要具备功率吸收能力的应用。
商品特性
- 高ESD保护等级
- 高集成度
- 适用于高密度电路板
- 4个单向瞬态抑制二极管（ESDA6V1M6）
- 5个单向瞬态抑制二极管（ESDA6V1 - 5M6）
- 击穿电压VBR最小值为6.1 V
- 高峰值功率耗散：100瓦（8/20 μs）
- 低泄漏电流 <500 nA
- 低二极管电容（0 V时典型值为70 pF）
- 极小的PCB面积：1.45 mm²
- 500微米间距
- 无铅封装
- 符合IEC 61000 - 4 - 2标准：15 kV（空气放电），8 kV（接触放电）
- 符合MIL STD 883G - 方法3015 - 7：3B级，>8 kV（人体模型）
应用领域
- 计算机
- 打印机
- 通信系统
- 手机及配件
- 视频设备