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ESDA6V1-5M6
单向 3V 8A@8/20us
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- 描述
- 用于ESD保护的TRANSIL阵列
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- ESDA6V1-5M6
- 商品编号
- C1974835
- 商品封装
- UQFN-6(1.45x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3V | |
| 钳位电压 | 6.1V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 8A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us | |
| 击穿电压 | 7.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 五路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 70pF |
商品概述
ESDA6V1xxM6是单片阵列，旨在保护多达4条或5条线路免受静电放电（ESD）瞬变影响。 该器件非常适合既需要减少印刷电路板空间，又需要具备功率吸收能力的应用场景。
商品特性
- 高ESD保护等级
- 高集成度
- 适用于高密度电路板
- 4个单向瞬态抑制二极管（ESDA6V1M6）
- 5个单向瞬态抑制二极管（ESDA6V1 - 5M6）
- 击穿电压VBR最小值为6.1 V
- 高峰值功率耗散：100 W（8/20μs）
- 低泄漏电流 < 500 nA
- 低二极管电容（0 V时典型值为70 pF）
- 极小的PCB面积：1.45 mm²
- 间距为500微米
- 无铅封装
- 符合IEC61000 - 4 - 2标准：15 kV（空气放电），8 kV（接触放电）
- 符合MIL STD 883G - 方法3015 - 7：3B类 > 8 kV（人体模型）
应用领域
-计算机-打印机-通信系统-手机及配件-视频设备