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DF2B6M4CT,L3F
DF2B6M4CT,L3F
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2B6M4CT,L3F
- 商品编号
- C1972950
- 商品封装
- X1-DFN1006-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.5V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30W@8/20us | |
| 击穿电压 | 8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品概述
DF2B6M4CT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。 DF2B6M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和出色的保护性能。 此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B6M4CT采用超紧凑型封装（1.0×0.6 mm），适用于对占位面积要求较小的应用。
商品特性
- 适用于5.0 V信号线。（VRWM≤5.5 V）
- 高静电放电（ESD）性能可保护器件。（VESD=±20 kV（接触/空气） @IEC61000 - 4 - 2）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（RDYN = 0.5 Ω（典型值））
- 回滞特性实现低钳位电压，保护半导体器件。（VC = 10 V@IPP = 2 A（典型值））
- 紧凑型封装适用于移动设备等高密度电路板布局。[1.0×0.6 mm]尺寸（东芝封装名称：CST2）
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单