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50N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 50N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N03D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易雪崩击穿能力（EAS）测试，且具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 50N03D
- 商品编号
- C19271465
- 商品封装
- PDFN(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个5000个/圆盘
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