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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S125N12HT

1个N沟道 耐压:120V 电流:125A

描述
阈值电压VGS:±20
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
S125N12HT
商品编号
C19271474
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.8214克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)125A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60.8nC@10V
输入电容(Ciss)3.614nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)423pF

商品概述

CMN3460MD采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用,包括负载开关、小电流逆变器和小电流DC-DC转换器。该器件具备静电放电(ESD)保护功能。

商品特性

  • 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
  • 出色的散热封装
  • 用于低导通电阻 RDS(ON) 的高密度单元设计

应用领域

  • 逆变器-负载开关-DC-DC转换器

数据手册PDF