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S120N15T
1个N沟道 耐压:150V 电流:120A
- 描述
- 120N15T 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。 120N15T 符合 RoHS 和绿色产品标准，并拥有 100% EAS 保证，且全功能可靠性已获认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S120N15T
- 商品编号
- C19271475
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 268pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计 高速开关
- 湿气敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100% EAS测试保证
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理