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S120N15T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S120N15T

1个N沟道 耐压:150V 电流:120A

描述
120N15T 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。 120N15T 符合 RoHS 和绿色产品标准,并拥有 100% EAS 保证,且全功能可靠性已获认证。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
S120N15T
商品编号
C19271475
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.8214克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))11.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)178.6W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)3.31nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)268pF

数据手册PDF

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