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120N03F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

120N03F

1个N沟道 耐压:30V 电流:120A

描述
120N03F 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。120N03F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%通过 EAS 测试,并经过全面功能可靠性认证。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
120N03F
商品编号
C19271466
商品封装
PDFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.17396克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@4.5V,15A
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250A
属性参数值
栅极电荷量(Qg)28.8nC@10V
输入电容(Ciss)2.971nF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)850pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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