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S100N85F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S100N85F

1个N沟道 耐压:85V 电流:100A

描述
Tphtei S100N85F是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。S100N85F符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
S100N85F
商品编号
C19271472
商品封装
PDFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.17712克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))5.6mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)107.8W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)61.3nC@10V
输入电容(Ciss)4.645nF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)673pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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