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S100N85F
1个N沟道 耐压:85V 电流:100A
- 描述
- Tphtei S100N85F是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S100N85F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S100N85F
- 商品编号
- C19271472
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.645nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 673pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 采用高密度单元设计，实现低 RDS(on)
- 高速开关
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 100%通过易感性雪崩耐量(EAS)测试
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理