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3419
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- 阈值电压VGS:±20
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 3419
- 商品编号
- C19271470
- 商品封装
- PDFN(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10452克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-高功率和电流处理能力
商品特性
- 百分百 EAS 保证
- 有绿色环保器件可选
- 超低栅极电荷
- 卓越的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
-负载开关-电源管理-LED 背光-网络应用