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25N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:25A
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- 描述
- 该款N沟道消费级MOSFET采用TO-3P封装，专为处理500V高电压、大电流应用设计。额定连续电流25A，适用于电源转换、电机驱动及工业控制领域，具有低导通电阻与优良散热性能，是现代电子设备高效能功率管理的理想半导体元件。
- 商品型号
- 25N50
- 商品编号
- C19267784
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.827586克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
25N50采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，提供出色的漏源导通电阻。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 = 500 V，漏极电流 = 25 A
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻 < 240 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器