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IRF540N-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
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- 描述
- 该款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为100V电压下大电流应用设计。额定连续电流33A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有出色的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子产品实现高效率功率控制的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRF540N-HXY
- 商品编号
- C19267787
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.813131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@50V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备负载开关
- 直流-直流转换器
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