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IRF630-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF630-HXY

耐压:200V 电流:9A

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描述
这款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装,专为处理200V高电压下的中等电流应用。额定连续电流9A,广泛应用于电源转换、电机控制及电池管理系统,具备低导通电阻和高效散热设计,是现代电子设备理想的高耐压功率开关器件。
商品型号
IRF630-HXY
商品编号
C19267788
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.777551克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)90pF

数据手册PDF