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IRF640NPBF-HXY
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220封装，专为处理200V高电压、中大电流应用设计。额定连续电流18A，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和卓越散热性能，是现代电子设备高效能功率控制的理想元件。
- 商品型号
- IRF640NPBF-HXY
- 商品编号
- C19267789
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.844898克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
优惠活动
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起订量：1 个50个/管
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