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60N06
N沟道 60V 60A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用经典TO-220封装，专为60V电压下的大电流应用设计。具备高达60A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和优良散热性能，是现代电子设备高效功率控制的理想之选。
- 商品型号
- 60N06
- 商品编号
- C19267786
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.667347克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 当栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（IDS） = 30A 时，导通电阻（RDS(ON)） = 1.6 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V、漏极电流（IDS） = 25A 时，导通电阻（RDS(ON)） = 2.1 mΩ
应用领域
- 简单驱动要求
- 小封装尺寸
- 表面贴装器件