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28N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:28A
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- 描述
- 该款N沟道消费级MOSFET采用TO-3P封装，专为500V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达28A，适用于电源转换、电机驱动和工业设备的功率控制，具有卓越的低导通电阻与高效散热特性，是现代电子系统中实现高性能能源管理的理想选择。
- 商品型号
- 28N50
- 商品编号
- C19267785
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.737931克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
IRF630采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 200 V，漏极电流ID = 9 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 260 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子镇流器