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TM009N03BDF
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低导通电阻RDS(ON)。符合RoHS标准且无卤素
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM009N03BDF
- 商品编号
- C19189154
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的样条栅极沟槽技术设计，具备出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 30A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 9mΩ(典型值)
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 经过100%栅极电阻测试
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)