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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TM008N02S

N沟道增强型MOSFET

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描述
低导通电阻。 符合RoHS和无卤标准
品牌名称
TMC(台懋)
商品型号
TM008N02S
商品编号
C19189150
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.154286克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))750mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
输入电容(Ciss)1nF
反向传输电容(Crss)164pF
输出电容(Coss)182pF

数据手册PDF