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BS2132F-E2实物图
  • BS2132F-E2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BS2132F-E2

BS2132F-E2

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
BS2132F-E2
商品编号
C1858369
商品封装
SOIC-28-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置全桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数3
灌电流(IOL)-
属性参数值
工作电压11.5V~20V
上升时间(tr)125ns
下降时间(tf)580ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

BS2132F是一款单片桥式驱动IC,可通过自举操作驱动三相系统中的外部N沟道FET和IGBT驱动器。VCC引脚和VB引脚之间集成了600V高压自举二极管。 逻辑输入可使用3.3V和5.0V。 作为保护功能,该器件在VCC - COM之间和VB - VS之间包含欠压锁定(UVLO)电路,以及过流保护(OCP)电路。 此外,/FAULT引脚输出保护检测信号,RCIN引脚可通过外部电阻和电容确定OCP保持时间。

商品特性

  • 高端浮动电源偏移电压范围达600V
  • 栅极驱动电源范围为11.5V至20V
  • VCC引脚和VB引脚之间集成600V高压自举二极管
  • 两路通道均内置欠压锁定(UVLO)
  • 内置高精度(0.46V±5%)过流保护(OCP)电路
  • 内置使能引脚(EN),支持I/O功能
  • 内置/Fault引脚,作为保护检测信号(OCP和UVLO)输出引脚
  • RCIN引脚可通过外部电阻和电容确定OCP保持时间
  • 兼容3.3V和5.0V输入逻辑
  • 输出与输入同相

应用领域

  • MOSFET和IGBT驱动应用

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1500个/圆盘

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