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LMG1025QDEETQ1

适用于高频和窄脉冲应用的汽车用低侧氮化镓（GaN）和MOSFET驱动器

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描述: LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG1025QDEETQ1
商品编号: C1858370
商品封装: WSON-6-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	850ps
	传播延迟 tpLH	2.6ns
	传播延迟 tpHL	2.9ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~2.6V
	输入低电平(VIL)	1.1V~1.8V
	静态电流(Iq)	75uA

商品概述

LMG1025-Q1是一款单通道低侧增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和逻辑电平MOSFET驱动器，适用于高开关频率汽车应用。窄脉冲宽度能力、快速开关特性和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达（LiDAR）、飞行时间（ToF）传感器和电源转换器的性能。1.25 ns的输出脉冲宽度可实现更强、对人眼安全的二极管脉冲。再结合300 ns的失真，可实现更远距离、更精确的激光雷达/飞行时间系统。2.9 ns的传播延迟显著改善了控制环路的响应时间，从而提高了电源转换器的整体性能。分离式输出允许通过OUTH、OUTL与FET栅极之间的外部电阻独立调节驱动强度和时序。该驱动器具备欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP）功能，确保器件在过载或故障条件下不受损坏。LMG1025-Q1采用紧凑、无引脚、符合AEC-Q100汽车标准的封装，以满足高开关频率汽车应用对尺寸和栅极环路电感的要求。

商品特性

符合AEC-Q100 1级标准
典型最小输入脉冲宽度为1.25 ns
典型上升传播延迟为2.6 ns
典型下降传播延迟为2.9 ns
典型脉冲失真为300 ps
独立的7 A上拉和5 A下拉电流
典型上升时间为650 ps（220 pF负载）
典型下降时间为850 ps（220 pF负载）
2 mm x 2 mm QFN封装
反相和同相输入
欠压锁定和过温保护
单5 V电源电压

应用领域

汽车激光雷达
驾驶员监测
车辆乘员检测传感器
DC/DC转换器

优惠活动

购买数量

(250个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个250个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交6单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	5A
	拉电流(IOH)	7A
	工作电压	4.75V~5.25V
	上升时间(tr)	650ps