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NCEP30T19G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP30T19G

停产 1个N沟道 耐压:30V 电流:185A

商品型号
NCEP30T19G
商品编号
C183039
商品封装
DFN-8(5.7x5.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.166克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)185A
导通电阻(RDS(on))1.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)95W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
输入电容(Ciss)8.8nF
反向传输电容(Crss)130pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.3nF

商品概述

NCEP30T19G采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和 QG 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 185A
  • RDS(ON) = 1.1mΩ(典型值),@ VGS=10V
  • RDS(ON) = 1.45mΩ(典型值),@ VGS=4.5V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度为150 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF