SIC652ACD-T1-GE3

SiC652是一款高频集成电源级，专为同步降压应用优化，提供高电流、高效率和高功率密度性能，并且关断电流非常低。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装，SiC652使电压调节器设计能够每相提供高达55 A的连续电流。

内部功率MOSFET采用了Vishay最新的TrenchFET技术，该技术提供了行业标杆性能，显著降低了开关损耗和导通损耗。

SiC652集成了一个先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的启动开关以及用户可选的零电流检测功能，以提高轻负载效率。该驱动器还兼容多种PWM控制器，支持三态PWM，以及5 V和3.3 V PWM逻辑。

此外，该设备支持PS4模式，以在系统处于待机状态时降低功耗。

SiC652还提供了工作温度监测、保护功能和警告标志，以增强系统的监控和可靠性。

• 高效率

  • 增强散热的PowerPAK MLP55-31 L封装，符合标准
  • Vishay最新的TrenchFET技术和带集成肖特基二极管的低HALREE侧MOSFET
  • 集成低阻抗自举开关
  • 优化用于19 V输入级的功率MOSFET
  • 支持PS4模式轻负载要求，具有低关断电源电流（5 V, 3 V）
  • 零电流检测以提高轻负载效率

• 高度通用

  • 具有三态和保持定时器的5 V和3.3 V PWM逻辑
  • 具有PS4状态支持的5 V DSBL#、ZCD_EN#逻辑
  • 高频操作，最高可达2 MHz

• 坚固可靠

  • 提供超过55 A的连续电流，70 A峰值（10 ms）和100 A峰值（10 μs）
  • 过流保护
  • 过温标志
  • 过温保护
  • 欠压锁定保护
  • 高侧MOSFET短路检测

• 有效的监控和报告

  • 精确的温度报告
  • 警告和故障报告标志