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SIC654ACD-T1-GE3实物图
  • SIC654ACD-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIC654ACD-T1-GE3

50A VRPower集成功率级

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描述
是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级,可提供高电流、高效率和高功率密度性能,且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装,可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术,可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能,以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容,支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式,以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志,可提高系统监测和可靠性。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIC654ACD-T1-GE3
商品编号
C1852093
商品封装
MLP55-31L(5x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型MOSFET
工作电压2.5V~24V
属性参数值
特性过流保护;过热保护
工作温度-40℃~+125℃

商品特性

  • 高效——采用热增强型PowerPAK MLP55-31 L RoHS封装
  • 采用Vishay最新的TrenchFET技术,低卤化物,侧面MOSFET集成肖特基二极管
  • 集成低阻抗自举开关
  • 针对19 V输入级优化的功率MOSFET
  • 支持PS4模式轻载要求,关断电源电流低(5 μA、3 μA)
  • 零电流检测,提高轻载效率
  • 高度通用——具备5 V和3.3 V PWM逻辑,带三态和延迟定时器
  • 5 V DSBL#、ZCD_EN#逻辑,支持PS4状态
  • 最高2 MHz的高频运行
  • 坚固可靠——可提供超过50 A的连续电流、70 A的峰值电流(10 ms)和100 A的峰值电流(10 μs)
  • 过流保护
  • 过温标志
  • 过温保护
  • 欠压锁定保护
  • 高端MOSFET短路检测
  • 有效监测和报告——精确的温度报告
  • 警告和故障报告标志

应用领域

  • 用于计算机、显卡和内存的多相VRD
  • 英特尔酷睿处理器供电——VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - VCCGI
  • 最高24 V轨输入的DC/DC VR模块

数据手册PDF

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