SIC651CD-T1-GE3

SiC651 是一款高频集成功率级，针对同步降压应用进行了优化，可提供大电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。SiC651 采用威世（Vishay）的 5 mm x 5 mm MLP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 50 A 的连续电流。 内部功率 MOSFET 采用了威世最新的 TrenchFET 技术，该技术具有行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC651 集成了先进的 MOSFET 栅极驱动 IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关以及用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与多种 PWM 控制器兼容，支持三态 PWM 以及 5 V / 3.3 V PWM 逻辑。 该器件还支持 PS4 模式，以降低系统处于待机状态时的功耗。 SiC651 提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测能力和可靠性。

• 高效——采用热增强型 PowerPAK MLP55 - 31 L 封装，符合 RoHS 标准
• 采用威世最新的 TrenchFET 技术，低卤化物侧边 MOSFET 集成肖特基二极管，无卤化物
• 集成低阻抗自举开关
• 功率 MOSFET 针对 19 V 输入级进行了优化
• 支持 PS4 模式轻载要求，关断电源电流低（5 μA、3 μA）
• 零电流检测功能，提高轻载效率
• 高度通用——支持 5 V 和 3.3 V PWM 逻辑，具备三态和延迟定时器
• 5 V DSBL#、ZCD_EN# 逻辑，支持 PS4 状态
• 最高可达 2 MHz 的高频运行
• 坚固可靠——可提供超过 50 A 的连续电流、70 A 峰值（10 ms）和 100 A 峰值（10 μs）
• 过流保护
• 过温标志
• 过温保护
• 欠压锁定保护
• 高端 MOSFET 短路检测
• 有效监测和报告——精确的温度报告
• 警告和故障报告标志

• 用于计算、显卡和内存的多相 VRD
• 英特尔酷睿处理器电源供电——VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - VCCGI
• 最高 24 V 轨输入的 DC/DC VR 模块