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AGM1095MAP
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:7A
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- 描述
- AGM1095MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM1095MAP
- 商品编号
- C18221380
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@10V；220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.7W；32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA；1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.4nC@10V；33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 999pF；1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF；40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF；86pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 漏极电流（ID） = 8.4 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 30 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)