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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
-沟槽功率MOSFET-AlphaSGTTM技术-同类产品中最低的RDS(ON)-低开关损耗-逻辑电平栅极驱动-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 无卤且符合 RoHS 标准
应用领域
-同步整流-高频DC/DC转换器