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AGM609MNA
2个N沟道 耐压:60V 电流:70A
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- 描述
- AGM609MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM609MNA
- 商品编号
- C18221391
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V；9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.456nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 424pF |
商品概述
HX4423/4424/4425系列是高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器，在性能上有所改进，是HX4426/4427/4428的高输出电流版本。这些系列引脚兼容，HX4423/4424/4425驱动器专为要求更苛刻的电气环境而设计，在额定功率和电压范围内的任何条件下都能提供可靠的服务。无论极性如何，它们能够承受接地引脚高达5V的噪声尖峰。与其他CMOS或双极驱动器相比，HX4423/4424/4425驱动器更易于使用、操作更灵活且容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低，并能提供稳定的电压波动。 HX4423/4424/4425驱动器主要用于驱动功率MOSFET，也非常适合驱动其他需要低阻抗、峰值电流和快速开关时间的负载，如电容器、电阻器或电感器。它可与重载时钟线、同轴电缆或压电换能器配合使用。唯一的限制是驱动器的总功耗必须保持在封装的最大功耗限制范围内。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 电子镇流器
- 电子变压器
- 开关模式电源