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AGM15T05LL
1个N沟道 耐压:150V 电流:180A
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- 描述
- AGM15T05LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM15T05LL
- 商品编号
- C18221382
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.025nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)，以最小化导通损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷，以最小化开关损耗
商品特性
- 漏源电压VDS(V) = 25 V
- 漏极电流ID = 65 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 11.1 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
应用领域
- 核心电压（VCORE）应用
- DC-DC转换器
- 高端/低端开关