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AGM025N10C
N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- AGM025N10C 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM025N10C
- 商品编号
- C18221379
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.13nF |
商品概述
AGM025N10C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器