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DG2524DN-T1-GE4实物图
  • DG2524DN-T1-GE4商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DG2524DN-T1-GE4

0.4 Ω低电阻和电容,双DPDT /四SPDT模拟开关

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描述
DG2523和DG2524是四个通道单刀双掷(SPDT)模拟开关。DG2523有两个控制输入,每个控制一对单刀双掷(SPDT)。它也被称为两通道双极双掷(DPDT)配置。DG2524有一个EN引脚,当逻辑为低时启用设备。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
DG2524DN-T1-GE4
商品编号
C1848104
商品封装
TQFN-16-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路4:1
通道数4
工作电压1.8V~5.5V
导通时间(ton)38ns
属性参数值
导通电阻(Ron)400mΩ
关闭时间(toff)430ns
工作温度-40℃~+85℃
导通电容(Con)26pF
带宽310MHz

商品概述

DG2523和DG2524是四通道单刀双掷(SPDT)模拟开关。DG2523有两个控制输入,每个控制输入控制一对单刀双掷(SPDT)开关,也被称为两通道双刀双掷(DPDT)配置。DG2524有一个EN引脚,当逻辑电平为低电平时使能该器件。 这些器件设计为在1.8 V至5.5 V单电源轨下工作。所有开关在两个方向上的导通性能相同,提供轨到轨信号切换,既可用作多路复用器,也可用作解复用器。这些器件具有低控制逻辑阈值,保证先断后通切换。 DG2523和DG2524具有低寄生电容、低泄漏电流,并且在整个信号范围内具有高度匹配的低且平坦的开关电阻,这些特性对于精密模拟设计至关重要。 高带宽和出色的总谐波失真(THD)性能使其非常适合在空间受限、要求高性能且能有效利用电路板空间的应用中进行模拟和数字信号切换。DG2523和DG2524采用3 mmx3 mm无铅QFN - 16封装。

商品特性

  • 1.8 V至5.5 V单电源工作
  • 低电阻:2.7 V时典型值为0.4 Ω
  • Rₒₙ高度平坦且匹配
  • 低寄生电容,Cₒₙ = 26 pF,Cₒff = 14.5 pF
  • 典型关断泄漏电流为40 pA
  • 高带宽:310 MHz
  • 保证逻辑高电平1.2 V,逻辑低电平0.3 V
  • 先断后通切换
  • 能够实现超过V+的信号摆幅
  • 掉电保护
  • 闩锁电流:300 mA(JESD78)
  • 静电放电/人体模型(ESD/HBM):> 6 kV

应用领域

  • 自动测试设备
  • 数据采集系统
  • 仪表和仪器
  • 医疗保健系统
  • 通信系统
  • 音频和视频信号路由
  • 电池供电系统
  • 计算机外设
  • 数据存储
  • 继电器替代

数据手册PDF