DG303BDY-T1-E3

DG300B、DG303B 系列单片 CMOS 开关具备三种开关配置选项（单刀单掷、单刀双掷和双刀单掷），适用于通信、仪器仪表和过程控制等精密应用，这些应用需要低泄漏开关和低功耗。 这些开关采用 PLUS - 40 CMOS 工艺设计，具有抗闩锁特性，关断时可承受高达 30 V 的峰峰值电压。外延层可防止闩锁。 开关导通时，双向导通性能相同（无失调电压），且低导通电阻可将误差降至最低。 这些开关具有低功耗（典型值 3.5 mW）的特点，非常适合电池供电的应用，且不会牺牲开关速度。这些器件采用先断后通的开关动作设计，与 CMOS 和准 TTL 兼容。将 V - 轨连接到 0 V 即可实现单电源供电。

• 模拟信号范围：± 15 V
• 快速开关 - 导通时间：150 ns
• 低导通电阻 - RDS(ON)：30 Ω
• 单电源供电
• 抗闩锁
• 与 CMOS 兼容

• 低电平开关电路
• 可编程增益放大器
• 便携式和电池供电系统