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ZXMN6A25GTA-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ZXMN6A25GTA-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:7A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动器等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；7A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
ZXMN6A25GTA-VB
商品编号
C18212450
商品封装
SOT-223-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.194克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V,5.1A
耗散功率(Pd)3.3W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

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