2SJ210-T1B-A-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

2SJ210-T1B-A-VB

商品编号

C18212445

商品封装

SOT-23(TO-236)​

包装方式

编带

商品毛重

0.0176克(g)