MX16171D100

MX16171D100/MX16171S100高端或门FET控制器与外部MOSFET配合使用，当与电源串联连接时，可作为理想的二极管整流器。该或门控制器使MOSFET能够在配电网络中取代二极管整流器，从而降低功率损耗和电压降。

MX16171D100/MX16171S100控制器为外部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，当电流反向流动时关闭FET。MX16171D100/MX16171S100可连接1V至100V的电源（当输入电压为1V至4V时，需要单独的VS电源），并能承受高达110V的瞬态电压。

当首次通电时，负载电流将通过MOSFET的体二极管从源极流向漏极。一旦体二极管两端的电压超过VSD(REG)，MX16171D100/MX16171S100就会通过一个30μA（典型值）的电荷泵电流源开始对MOSFET栅极充电。在正向工作时，MOSFET的栅极被充电，直到达到MX16171D100/MX16171S100内部14V栅极至输入引脚齐纳二极管的钳位电压。

MX16171D100/MX16171S100旨在调节MOSFET栅源电压。如果MOSFET电流降低到MOSFET两端的电压低于30mV（典型值）的VSD(REG)电压调节点，栅极引脚电压将降低，直到MOSFET两端的电压调节到20mV。如果源漏电压大于VSD(REG)电压，栅源电压将增加，最终达到14V栅极至输入引脚齐纳钳位电平。

如果MOSFET电流反向，可能是由于输入电源故障，使得MX16171D100/MX16171S100输入和输出引脚两端的电压比-15mV（典型值）的VSD(REV)电压更负，MX16171D100/MX16171S100将通过一个强大的栅极至输入引脚放电晶体管迅速对MOSFET栅极放电。如果输入电源突然故障，例如电源直接接地短路，反向电流将暂时通过MOSFET流动，直到栅极完全放电。这种反向电流来自负载电容和并联连接的电源。MX16171D100/MX16171S100通常在50ns内响应电压反转条件。关闭MOSFET所需的实际时间将取决于所使用的MOSFET栅极电容所保持的电荷。有效栅极电容为47nF的MOSFET通常可以在260ns内关闭。这种快速关断时间将输出端的电压干扰以及来自冗余电源的电流瞬变降至最低。

MX16171D100/MX16171S100的VS引脚是所有内部偏置的主电源引脚，也是内部栅极驱动电荷泵的辅助电源。

对于典型的MX16171D100/MX16171S100应用，VS引脚可以直接连接到输出引脚。电容值应是能对电压噪声产生可接受滤波效果的最低值。

如果在输入引脚浮空或接地时为VS引脚供电，则约0.5mA的电流将从VS引脚泄漏到IC中，约2mA的电流将从输出引脚泄漏到IC中。

OFF引脚是一个逻辑电平输入引脚，用于控制对外部MOSFET的栅极驱动。该引脚的最大工作电压为5.5V。

当OFF引脚为高电平时，MOSFET关闭（与检测到的输入和输出电压无关）。在这种模式下，负载电流将通过MOSFET的体二极管流动。如果MOSFET通过体二极管正常工作，输入引脚和输出引脚之间的电压差约为700mV。

OFF引脚内部有一个5μA（典型值）的下拉电流。如果不需要OFF功能，该引脚可以悬空或接地。

• 宽工作输入电压范围VIN：5V至100V
• 110V瞬态电压
• 外部N沟道MOSFET的电荷泵栅极驱动器
• 对电流反转的50ns快速响应
• 2A峰值栅极关断电流
• 超小VDS关断电压可减少关断时间
• DFN2×3 - 8L和SOP8封装

冗余（N + 1）电源的有源或门