温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STR2N2VH5
耐压:20V 电流:5.5A
- 描述
- 应用：便携式设备应用负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- STR2N2VH5
- 商品编号
- C18197823
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
商品特性
- -30V / -4.3A，RDS(ON) = 44mΩ（典型值）@ VGS = -10V
- -30V / -3.5A，RDS(ON) = 50mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
- -30V / -2.5A，RDS(ON) = 65mΩ（典型值）@ VGS = -2.5V
- 针对极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
应用领域
-便携式设备负载开关-直流-直流转换器