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FQT5P10TF-TP
P沟道 耐压:100V
- 描述
- 应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FQT5P10TF-TP
- 商品编号
- C18197830
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22784克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 30A，当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 30mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的封装。
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