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SI7850DP
耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关。超便携式电子产品的电池管理
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- SI7850DP
- 商品编号
- C18197826
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 15 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 100 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的出色封装
应用领域
-负载/电源开关-接口、逻辑开关-超便携电子设备的电池管理