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IRF7316TRPBF-JSM
2个P沟道 耐压:30V 电流:9A
- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF7316TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18191790
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 216pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30V
- 当 VGS = -10V 时,ID = -9A
- 当 VGS = -10V 时,Rds(on) = 14mΩ(典型值)
- 当 VGS = -4.5V 时,Rds(on) = 19mΩ(典型值)
- 开关速度快
- 高功率和电流处理能力
- 封装:SOP - 8L
- 提供无铅环保器件
应用领域
- 负载点(POL)应用
- 负载开关
- LED 应用