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DMN3404L-7-F-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- DMN3404L-7-F-JSM
- 商品编号
- C18191807
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,4.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款单封装双 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用 -30V 沟槽 DMOS 技术。该先进技术经过特殊设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- 当 VGS = -10V 时，ID = -9A
- 当 VGS = -10V 时，Rds(on) = 14mΩ（典型值）
- 当 VGS = -4.5V 时，Rds(on) = 19mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 高功率和电流处理能力
- 封装：SOP - 8L
- 提供无铅环保器件
应用领域
- 负载点（POL）应用
- 负载开关
- LED 应用