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CJ2304-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
- 描述
- 广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- CJ2304-JSM
- 商品编号
- C18191819
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,6.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
AM2308NE-T1-PF是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 30V/6.0A，RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 30V/4.8A，RDS(ON) = 25mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 针对极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- N沟道MOSFET